Mosfet驱动桥问题
- BLDC001
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- 来自:马达驱动
- 2018-10-28
刚看了众筹第25部视频的18-21集张老师在这里讲负压驱动下桥和上桥的时候讲的有点快,没理解全面并有一些疑问。希望请老师指点以下问题。
如下图为下桥负压驱动电路,为便于描述问题,我对各三极管进行了从新编号(因为原图的编号有重复)。我们以U相下桥臂为例,考虑当U相下桥臂初始上电,第一次MCU输出PWM时及U相下桥臂需要关断(断电,不再驱动MOSFET)两种情况。
(1)当初始上电时,我的理解是当MCU输出为高,但是分立元件驱动桥输出为低;MCU输出为低,分立元件驱动桥输出为高;这与集成驱动桥的逻辑是相反的(见附图,输入与输出同相),所以想确认众筹板子的分立驱动桥是否有负压驱动电路?假如分立驱动桥和集成驱动桥逻辑相反,如果我刷写的是同一版本软件,然后先用集成驱动桥驱动,接着再装上分立驱动桥驱动,会发生什么?
(2)现在讨论相下桥断电的时候,断电的时候MCU端口一般怎么输出呢?输出高还是高阻态?如果为高电路就会有一定的耗能(Q7导通)。请问现有的板子和软件在关闭的时候MCU引脚输出为什么?
(3)增加负压驱动的目的是加快MOSFET的关闭,降低能耗。为此,我们增加了Q1,Q2,Q3,Q7四个三极管,三级管的开关时间和能耗是否和MOSFET在一个数量级上?这里主要是为了达到关断快的目的而宁可牺牲一些功耗?
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