问题求救啊：IGBT短路测试Vge放电现象

贴証

图中，黄色为米勒电容两端电压，紫色为Vge。

黄色为Vge，紫色为Rgon两端电压，IGBT开通后，Rgon有明显的充电，Ggoff两端放电现象不明显。

16V电源电压输出没有明显的变化。

因为，在IGBT导通后，存在米勒位移电流，导致Vge能量从Cres中流失，

可以这么解释吗，可是这样 如何抑制

smrbzqmquk

除非你特别自信，我建议最好不要试图去双踪测试Vge和Vgc。

贴証

smrbzqmquk 发表于 2018-4-20 17:26
除非你特别自信，我建议最好不要试图去双踪测试Vge和Vgc。

我测完了，除了GC电压会有变化，其他的真的不知道怎么回事，也不知道怎么解决......好无奈

汪295

从波形上看应该是短路保护在IGBT关断时CE尖峰电压过高导致的，此电压通过米勒电容给GE电容充电，导致门极电压的上升超过IGBT的开通阈值电压；流过米勒电容的电流可以通过i=Crss*dVce/dt来计算；解决的办法有：1、短路保护时使用较大的门极关断电阻，减小Vce电压的上升率，从而减小流过米勒电容的电流值；2、增加米勒钳位电路，在门极关断到一定电压后使用更小的关断电阻将门极拉到负电压，减小米勒电流在门极电阻上的压降。这两个办法可以同时使用。

贴証

事实上是有振荡的，那些不震荡的波形是我滤波后的，我把短路保护功能都短路了，还是会这样，不怎么怎么搞。。。。。。能留个联系方式交流交流吗

汪295

贴証 发表于 2018-4-20 17:27
事实上是有振荡的，那些不震荡的波形是我滤波后的，我把短路保护功能都短路了，还是会这样，不怎么怎么搞。 ...

震荡应该是因为门极电压被抬升，导致二次开通引起的。私聊加我吧